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VNQ660SP 发布时间 时间:2025/6/3 10:20:08 查看 阅读:4

VNQ660SP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道MOSFET功率晶体管,采用SO-8封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景中。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关速度:典型值40ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

VNQ660SP具备卓越的电气性能和可靠性,主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可以显著降低导通功耗,适合高效率应用。
  2. 高额定电流能力(16A),适用于大功率电路设计。
  3. 快速开关性能(典型值40ns),使其在高频开关应用中表现出色。
  4. 小型化的SO-8封装形式,节省了PCB板空间,并提供良好的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55℃至150℃),确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

VNQ660SP适用于多种领域,包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动控制中的功率级开关。
  4. 各类负载开关应用,例如电池管理系统中的电源切换。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子中的辅助电源及保护电路。

替代型号

VNQ661SP, IRF540N, FDP16N60

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VNQ660SP参数

  • 其它有关文件VNQ660SP View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数4
  • 导通状态电阻40 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道-
  • 电流 - 峰值输出10A
  • 电源电压6 V ~ 36 V
  • 工作温度-40°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装PowerSO-10
  • 包装管件
  • 其它名称497-2700-5