VNQ5E050AK 时间：2025/5/26 12:06:07 阅读：25

VNQ5E050AK 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用 PowerFLAT5x6 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
　　这款 MOSFET 的设计使其能够在高频工作条件下保持较低的功率损耗，并提供出色的热性能表现，有助于简化散热设计并提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻：2.7mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：13nC（典型值）
　　输入电容：1240pF（典型值）
　　反向恢复时间：8ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

VNQ5E050AK 具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗。
　　2. 高开关速度，适用于高频电路设计。
　　3. 小尺寸封装，有助于节省 PCB 空间。
　　4. 出色的热性能，能够承受更高的功率密度。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　6. 内置防静电保护功能，增强了产品的可靠性。
　　这些特性使得 VNQ5E050AK 成为需要高性能和紧凑设计的应用的理想选择。

应用

VNQ5E050AK 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的同步整流。
　　2. 移动设备及消费类电子产品的负载开关。
　　3. 便携式设备中的电池管理。
　　4. 小型电机驱动和控制。
　　5. 各种工业自动化和汽车电子系统的功率级管理。
　　其卓越的性能和紧凑的设计使它非常适合对效率和空间要求较高的应用场景。