时间：2025/4/29 10:05:41
阅读：6
SAFFB2G65AB0F0AR1X 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和性能。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适合在高频开关应用中使用。其封装形式为行业标准封装，便于设计和生产中的应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：0.075Ω
栅极电荷：36nC
反向恢复时间：95ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
SAFFB2G65AB0F0AR1X 的主要特点是低导通电阻和高耐压能力，这使得它在高功率密度的应用中表现出色。
该器件的开关速度快，可有效减少开关损耗，适用于高频 PWM 控制器和 DC-DC 转换器等场景。
此外，它的高可靠性设计确保了在恶劣环境下的稳定运行，例如高温或高湿度条件下仍能保持良好的电气性能。
此 MOSFET 还具备较低的热阻，有助于改善散热性能，从而提升整体系统的可靠性。
SAFFB2G65AB0F0AR1X 主要用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。
典型应用场景包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 逆变器
- 电机驱动器
- 工业自动化控制
- 太阳能逆变器
- 充电器模块
由于其高耐压和大电流能力，该器件非常适合用作主开关元件或同步整流器，在这些领域中提供卓越的性能表现。
SAFFB2G65AB0F0BR1X
SAFFB2G65BB0F0AR1X
IRFP460
