时间：2025/5/13 18:22:48
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CDR31BX561BMZRAT 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的高耐压MOSFET芯片，主要应用于需要高效率和低功耗的场景。该器件采用沟槽型结构设计，能够提供较低的导通电阻和较高的开关性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其封装形式为 HTSSOP-B20 (表面贴装)，非常适合在紧凑型电路中使用。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：5.9A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（典型值）：480mΩ
总功耗：26W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：HTSSOP-B20
CDR31BX561BMZRAT 的核心优势在于其高耐压能力与低导通电阻的平衡，这使得它能够在硬开关应用中保持高效运行。
1. 高击穿电压（700V）使其适合用于高压环境下的电源转换和电机驱动等场景。
2. 采用了先进的工艺技术以降低导通电阻（典型值为480mΩ），从而减少了功率损耗。
3. 快速开关性能有助于减少开关损耗，并提升整体系统效率。
4. 封装紧凑且具有良好的散热性能，便于在小型化设计中集成。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
该器件广泛适用于各种工业及消费类电子产品中的电源管理模块：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器
3. 电机驱动器
4. LED 照明驱动
5. 不间断电源（UPS）
6. 充电器及适配器
由于其高耐压特性和高效表现，特别推荐用于需要处理高压输入或输出的应用场合。
CDR31BX560BMZRAT
CDR31BX562BMZRAT
IRF840
FQA59P70B
