VNQ5160KTR-E 时间：2025/5/7 23:08:35 阅读：10

VNQ5160KTR-E 是一款基于 N 沟道逻辑电平 MOSFET 的半桥驱动器，广泛应用于电机控制、电源管理以及开关电路等领域。该芯片集成了两个高侧和低侧 MOSFET，采用小型化的 K 封装设计，能够显著减少 PCB 占用空间并提升系统效率。VNQ5160KTR-E 提供了良好的电气性能，同时具备短路保护和热关断功能，确保在极端条件下仍能安全运行。
　　其逻辑电平驱动特性使得它非常适合由微控制器或其他低电压信号源直接控制的应用场景。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流（每个通道）：2.8A
　　峰值脉冲漏极电流：6A
　　RDS(on) 高侧：100mΩ
　　RDS(on) 低侧：45mΩ
　　栅极驱动电压范围：4.5V 至 18V
　　工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
　　封装类型：KTR

特性

VNQ5160KTR-E 具有以下关键特性：
　　1. 内置两个功率 MOSFET，分别用于高侧和低侧开关，简化了外部组件的需求。
　　2. 逻辑电平输入兼容性，支持与主流微控制器无缝对接。
　　3. 短路保护功能可防止因负载故障导致的器件损坏。
　　4. 内置过温保护机制，在检测到异常高温时自动关闭输出以避免热失控。
　　5. 小型化 KTR 封装设计，有助于减小整体解决方案的尺寸。
　　6. 高可靠性设计，适用于汽车级应用和其他恶劣环境下的使用需求。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。

应用

VNQ5160KTR-E 主要应用于以下领域：
　　1. 无刷直流电机 (BLDC) 控制电路中的相位切换。
　　2. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器或降压/升压转换器。
　　3. 工业自动化设备中的继电器驱动和电磁阀控制。
　　4. 消费电子产品的负载开关和电池管理。
　　5. 汽车电子中的各种执行器驱动，如电动车窗、座椅调节等。
　　6. 任何需要高效功率切换和紧凑设计的场合。