GRT3195C2A183JA02L是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信系统中的功率放大器设计。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散MOS)技术制造,具有高输出功率、高增益和高效率的特点。它广泛应用于基站、中继站以及其他需要高线性度和高可靠性的射频功率放大的场景。
该型号属于GRT系列,经过严格的筛选和测试,确保在高频段下表现出优异的性能和稳定性。
类型:射频功率晶体管
工作频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
输出功率(P1dB):45 W
增益:16 dB
效率:55%
Vds(漏源电压):50 V
Ids(最大漏极电流):7 A
封装形式:FLAT-8
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GRT3195C2A183JA02L采用了最新的半导体工艺技术,具备以下主要特点:
1. 高输出功率:能够在指定频率范围内提供高达45W的输出功率,适用于各种大功率射频应用。
2. 高效率:在典型条件下,其效率可达55%,从而减少了热量的产生并降低了系统的冷却需求。
3. 宽带宽:支持从1710 MHz到2170 MHz的宽带操作,非常适合现代多频段通信系统。
4. 稳定性:即使在极端环境条件下也能保持稳定的工作状态。
5. 易于集成:紧凑型封装设计便于与其他电路组件集成,简化了系统设计和生产流程。
6. 高可靠性:通过了严格的质量控制和可靠性测试,确保长期使用中的高性能表现。
这款射频功率晶体管主要用于以下领域:
1. 基站功率放大器:为蜂窝网络提供高效的信号放大功能。
2. 中继站设备:增强信号覆盖范围,提高通信质量。
3. 工业无线通信:如对讲机系统和其他专业移动无线电设备。
4. 测试与测量仪器:用于生成高功率射频信号进行设备性能评估。
5. 军事及航空航天:包括雷达系统、卫星通信等要求苛刻的应用场景。
GRT3195C2A183KA02L
GRT3195C2A183HA02L