时间：2025/8/24 14:02:02
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FDMC829是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效功率转换的电路设计。FDMC829通常用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统以及工业控制设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A（在25°C下）
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：8.2mΩ（最大值，在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
FDMC829的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大为8.2mΩ，非常适合高电流应用。
此外，该器件具有高电流承载能力，最大连续漏极电流可达100A，使其适用于高功率密度设计。其封装设计优化了热性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，确保器件在高负载条件下稳定工作。
FDMC892还具备良好的栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现优异，有助于减少开关损耗并提高响应速度。此外，其±20V的栅极电压耐受能力提供了更大的设计灵活性，并增强了对过电压条件的鲁棒性。
器件的封装采用表面贴装技术（SMD），有助于减少PCB空间占用，并提高制造效率。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适用于各种工业和汽车应用环境。
FDMC829广泛应用于各类电力电子系统中，尤其是在需要高效能和高电流能力的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及不间断电源（UPS）系统。
在服务器和通信设备的电源模块中，FDMC829常用于高效率的多相电源设计，以满足高电流、低电压微处理器的供电需求。此外，在电池充电系统中，其低导通电阻可减少功率损耗，提高充电效率。
在工业自动化和电机控制领域，FDMC829可用于驱动大功率负载，如直流电机和电磁阀。由于其良好的热稳定性和高可靠性，也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等。
SiR826DP, IRF1324S, FDP8290
