时间：2025/6/14 19:14:46
阅读：4
SE5VR1T236 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。它采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。
该器件通常用于需要高效功率管理的场合，例如 DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS) 和各种工业控制设备中。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
漏源极电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：236A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
栅极电荷(Qg)：90nC
总功耗(Ptot)：230W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
SE5VR1T236 具有卓越的热性能和电气性能，能够有效降低系统损耗并提高整体效率。
主要特点包括：
- 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗。
- 快速开关能力，适合高频操作。
- 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
- 小型封装设计，便于在空间受限的应用中使用。
- 符合 RoHS 标准，环保无铅。
SE5VR1T236 广泛应用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS) 中作为功率开关。
- 工业自动化中的电机驱动和逆变器模块。
- 新能源汽车的电池管理系统 (BMS)。
- 高效 DC-DC 转换器和负载点 (POL) 转换器。
- 各类工业控制和消费电子设备中的功率调节和保护电路。
IRF3205
FDP5800
STP150N10F7
