时间：2025/7/22 14:25:51
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VNP35NV04是一款由威世（Vishay）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高功率、高效率的应用，例如电源转换器、DC/DC转换器、电机控制和负载开关等。其设计提供了低导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。VNP35NV04采用先进的硅技术制造，确保了在高电流和高温条件下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：35A
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB
技术：TrenchFET
VNP35NV04具有多项出色的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，VNP35NV04采用TrenchFET技术，提供更高的单位面积电流密度，有助于减小器件尺寸并提高性能。
该MOSFET具备高耐压能力，支持高达40V的漏源电压，适合多种电源管理应用。同时，其高栅源电压容限（±20V）增强了器件在复杂工作环境中的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计难度。
热性能方面，VNP35NV04的封装设计优化了散热性能，使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这不仅提高了器件的可靠性，还延长了使用寿命。此外，该器件的高漏极电流能力（35A）使其适用于需要高功率输出的应用，例如电动工具、工业自动化和汽车电子系统。
由于其出色的性能和可靠性，VNP35NV04被广泛应用于各种高功率电子设备中，是工程师在设计高效功率系统时的理想选择。
VNP35NV04主要应用于以下领域：电源管理、DC/DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率便携式设备等。
Si444NQDY-T1-GE3, FDS4435B, NVTFS5C428NLTAG, IRF3703PBF
