VNP35NV04是一款由威世(Vishay)公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高功率、高效率的应用,例如电源转换器、DC/DC转换器、电机控制和负载开关等。其设计提供了低导通电阻(RDS(on)),有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。VNP35NV04采用先进的硅技术制造,确保了在高电流和高温条件下的稳定性和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):35A
漏源电压(VDS):40V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大4.5mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-220AB
技术:TrenchFET
VNP35NV04具有多项出色的电气和热性能,使其在高功率应用中表现出色。首先,该器件的低导通电阻降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率。此外,VNP35NV04采用TrenchFET技术,提供更高的单位面积电流密度,有助于减小器件尺寸并提高性能。
该MOSFET具备高耐压能力,支持高达40V的漏源电压,适合多种电源管理应用。同时,其高栅源电压容限(±20V)增强了器件在复杂工作环境中的稳定性,降低了栅极驱动电路的设计难度。
热性能方面,VNP35NV04的封装设计优化了散热性能,使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这不仅提高了器件的可靠性,还延长了使用寿命。此外,该器件的高漏极电流能力(35A)使其适用于需要高功率输出的应用,例如电动工具、工业自动化和汽车电子系统。
由于其出色的性能和可靠性,VNP35NV04被广泛应用于各种高功率电子设备中,是工程师在设计高效功率系统时的理想选择。
VNP35NV04主要应用于以下领域:电源管理、DC/DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率便携式设备等。
Si444NQDY-T1-GE3, FDS4435B, NVTFS5C428NLTAG, IRF3703PBF