NVTFS5820NLTAG是来自Vishay的一系列N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件设计用于高效率开关电源、DC/DC转换器、电机驱动和负载切换等应用领域。其主要特点是低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度,能够显著降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:9.6A
导通电阻(Rds(on)):30mΩ
栅极电荷:27nC
开关频率:高达500kHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
NVTFS5820NLTAG具备超低的导通电阻和栅极电荷,从而在高频应用中表现优异。
该器件具有较高的雪崩击穿能力,能够在过载条件下提供额外的保护。
其TO-220封装形式有助于散热,适合高功率密度应用。
由于其出色的电气性能,该器件广泛应用于各种高效能电力电子电路中。
NVTFS5820NLTAG适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理。
典型应用场景包括但不限于:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC/DC转换器
- 电机驱动控制
- 负载切换模块
- 电池管理系统(BMS)
此外,它也常用于逆变器和不间断电源(UPS)等需要高可靠性和效率的场景。
NVTFS5822NL, IRF540N, FDP077N10Z