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NVTFS5820NLTAG 发布时间 时间:2025/5/24 19:19:09 查看 阅读:10

NVTFS5820NLTAG是来自Vishay的一系列N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件设计用于高效率开关电源、DC/DC转换器、电机驱动和负载切换等应用领域。其主要特点是低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度,能够显著降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:9.6A
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

NVTFS5820NLTAG具备超低的导通电阻和栅极电荷,从而在高频应用中表现优异。
  该器件具有较高的雪崩击穿能力,能够在过载条件下提供额外的保护。
  其TO-220封装形式有助于散热,适合高功率密度应用。
  由于其出色的电气性能,该器件广泛应用于各种高效能电力电子电路中。

应用

NVTFS5820NLTAG适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理。
  典型应用场景包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC/DC转换器
  - 电机驱动控制
  - 负载切换模块
  - 电池管理系统(BMS)
  此外,它也常用于逆变器和不间断电源(UPS)等需要高可靠性和效率的场景。

替代型号

NVTFS5822NL, IRF540N, FDP077N10Z

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NVTFS5820NLTAG参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 毫欧 @ 8.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1462pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-WDFN(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)