类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100 V
　　最大漏极电流(Id)：13 A
　　导通电阻(Rds(on))：0.075 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0 V 至 4.0 V
　　最大功耗(Pd)：40 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

VNP10BX MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在 Vgs 为 10 V 时，Rds(on) 仅为 0.075 Ω，使得该器件在高电流应用中表现出色。
　　该器件的最大漏极电流为 13 A，可在高负载条件下稳定运行，并适用于多种功率转换器设计。此外，VNP10BX 具有高达 100 V 的漏源击穿电压，适用于中高压功率系统。
　　VNP10BX 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关特性和热性能。其快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关应用。
　　器件的栅极阈值电压范围为 2.0 V 至 4.0 V，确保了稳定的栅极控制，并兼容多种驱动电路，如微控制器或专用栅极驱动 IC。此外，该器件的 TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下的可靠性。
　　在可靠性方面，VNP10BX 具有良好的热稳定性和耐用性，适用于工业级和汽车电子应用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应严苛的环境条件。

VNP10BX 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路和电池管理系统等。其高效率和低导通电阻特性使其成为高功率密度设计的理想选择。
　　在开关电源应用中，VNP10BX 可用于主开关或同步整流器，以提高整体效率并减少热量产生。其高频开关能力也适用于谐振转换器和 LLC 转换器拓扑。
　　在电机控制和 H 桥电路中，该器件可作为高侧或低侧开关，提供高效的功率输出。此外，VNP10BX 也适用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保安全可靠的能量传输。
　　由于其良好的热稳定性和封装散热能力，该 MOSFET 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和工业自动化设备。

IRF540N, FDPF5N50, STP12NM50N, FQP13N10L