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VNP10BX 发布时间 时间:2025/7/22 14:25:40 查看 阅读:8

VNP10BX 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高频率开关应用和高效率功率转换电路。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高开关性能,适用于如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等多种应用领域。VNP10BX 采用 TO-220 封装,适用于需要高功率密度和高可靠性的系统。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100 V
  最大漏极电流(Id):13 A
  导通电阻(Rds(on)):0.075 Ω @ Vgs = 10 V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0 V 至 4.0 V
  最大功耗(Pd):40 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

VNP10BX MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。在 Vgs 为 10 V 时,Rds(on) 仅为 0.075 Ω,使得该器件在高电流应用中表现出色。
  该器件的最大漏极电流为 13 A,可在高负载条件下稳定运行,并适用于多种功率转换器设计。此外,VNP10BX 具有高达 100 V 的漏源击穿电压,适用于中高压功率系统。
  VNP10BX 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了开关特性和热性能。其快速的开关速度有助于减少开关损耗,提高整体系统效率,适用于高频开关应用。
  器件的栅极阈值电压范围为 2.0 V 至 4.0 V,确保了稳定的栅极控制,并兼容多种驱动电路,如微控制器或专用栅极驱动 IC。此外,该器件的 TO-220 封装提供了良好的散热性能,确保在高功率条件下的可靠性。
  在可靠性方面,VNP10BX 具有良好的热稳定性和耐用性,适用于工业级和汽车电子应用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适应严苛的环境条件。

应用

VNP10BX 广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路和电池管理系统等。其高效率和低导通电阻特性使其成为高功率密度设计的理想选择。
  在开关电源应用中,VNP10BX 可用于主开关或同步整流器,以提高整体效率并减少热量产生。其高频开关能力也适用于谐振转换器和 LLC 转换器拓扑。
  在电机控制和 H 桥电路中,该器件可作为高侧或低侧开关,提供高效的功率输出。此外,VNP10BX 也适用于电池管理系统中的充放电控制电路,确保安全可靠的能量传输。
  由于其良好的热稳定性和封装散热能力,该 MOSFET 也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动工具和工业自动化设备。

替代型号

IRF540N, FDPF5N50, STP12NM50N, FQP13N10L

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