时间：2025/5/29 11:33:24
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VNN7NV04PTR-E 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于 Vishay 公司的 SiHF 系列。该器件采用小尺寸封装（如 PowerPAK? 1212-8），适用于高效率开关应用和负载开关场景。其超低导通电阻特性使其成为电池供电设备、便携式电子设备及高效能电源管理系统的理想选择。
该器件的工作电压范围为 4.5V 至 10V，在典型栅极驱动条件下具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，从而降低传导损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（Vgs=4.5V）：4.6mΩ
导通电阻（Vgs=10V）：3.4mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1380pF
封装类型：PowerPAK? 1212-8
VNN7NV04PTR-E 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少功率损耗。
2. 高效开关性能，适合高频开关应用。
3. 小型封装设计，有助于节省电路板空间。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 良好的热稳定性，能够在较高温度下可靠运行。
6. 支持多种工作电压范围，适应性广。
Vishay 的这款 MOSFET 经过严格测试，确保在各种恶劣环境下依然保持稳定性和可靠性。
VNN7NV04PTR-E 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备和平板电脑中的负载开关。
2. USB Type-C 和 PD 控制器的开关元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制电路。
4. 高效能 DC-DC 转换器和降压电路。
5. LED 驱动电路和其他低功耗应用场景。
由于其出色的性能和紧凑的封装设计，这款 MOSFET 特别适合对空间和能耗要求较高的便携式电子设备。
VNQ0410PT, VNN7N03ZTR-E
