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LN61CC4002MR-G 发布时间 时间:2025/7/11 13:30:20 查看 阅读:18

LN61CC4002MR-G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用了先进的 GaN 工艺,能够显著提升电力转换系统的性能,同时降低系统尺寸和成本。
  其主要应用领域包括 DC-DC 转换器、无线充电模块、LED 驱动器以及各类消费电子产品的电源管理解决方案。

参数

型号:LN61CC4002MR-G
  封装形式:LLP8
  额定电压:650V
  导通电阻(Rds(on)):20mΩ
  栅极电荷(Qg):37nC
  最大工作温度范围:-55℃ to +150℃
  漏源击穿电压(BVDSS):650V
  连续漏极电流(ID):16A
  开关频率:支持高达 MHz 级别
  输入电容(Ciss):1100pF

特性

LN61CC4002MR-G 的主要特点在于其出色的开关特性和低导通电阻。该器件利用氮化镓技术实现了更高的效率和更快的开关速度,从而减少开关损耗和热耗散。
  此外,该芯片具有较低的栅极电荷和寄生电容,这使得它非常适合高频应用。在高温环境下,LN61CC4002MR-G 也表现出良好的稳定性和可靠性,适用于各种严苛的工作条件。
  它的紧凑型 LLP8 封装有助于简化 PCB 布局并节省空间,非常适合对体积敏感的设计。

应用

LN61CC4002MR-G 广泛应用于需要高效功率转换的场景,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流或主开关。
  2. 高效 DC-DC 转换器,特别是那些要求小型化和高频工作的场合。
  3. 消费电子产品中的快速充电解决方案,如 USB-PD 充电器。
  4. LED 照明驱动器,提供更高效的能量转换和更小的外形设计。
  5. 无线充电发射端和接收端模块,用于提升充电效率。

替代型号

LN61CC4002MP-G
  LN61CC4002MR-N
  LN61CC4002MP-N

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