时间：2025/6/22 10:57:16
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VNLD5090TR-E 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装。这款器件专为高效率开关应用而设计，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性。VNLD5090TR-E 的工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源极电压，适合于电源管理、电机驱动和负载切换等应用。
该器件的低导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率，同时其紧凑的封装形式使其易于集成到各种电子设备中。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：18A
脉冲漏极电流：54A
导通电阻（典型值）：9mΩ
总功耗：70W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动下仅为 9mΩ，显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能，能够实现高效的开关操作。
3. 较高的雪崩击穿能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 宽工作温度范围（-55°C 到 +175°C），适用于恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 小型化 TO-263 封装，节省 PCB 空间。
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 直流/直流转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化控制中的功率开关。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
VNLD5N90XPT-E, VNLD5090L-E
