类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.8Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

CS5N60A4H-G具有多项优良的电气和机械特性，适用于高要求的功率转换应用。
　　首先，其600V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高电压应用，如AC/DC电源适配器和工业电机控制电路。该器件的最大连续漏极电流为5A，在良好的散热条件下能够提供稳定的电流输出。
　　其次，CS5N60A4H-G的导通电阻较低，典型值为1.8Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）为15nC，支持高频开关操作，适用于高频DC-DC转换器等应用。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，可在-55℃至+150℃的温度范围内正常工作，适应各种严苛的工作环境。TO-220封装形式提供了良好的散热能力，有助于提高器件的长期稳定性。
　　最后，CS5N60A4H-G的栅源电压为±20V，具有较强的栅极耐压能力，防止因栅极过压导致的损坏，提高系统的可靠性。

CS5N60A4H-G广泛应用于各种功率电子设备中，尤其适用于需要高电压和中等电流处理能力的场合。
　　首先，它常用于开关电源（SMPS）中，作为主开关管或同步整流管，实现高效的电能转换。其低导通电阻和高耐压特性使其适用于100W~300W的电源适配器、充电器和LED驱动电源。
　　其次，该MOSFET可用于DC-DC转换器，例如Boost、Buck和Flyback拓扑结构，支持高频开关操作，提高电源转换效率，减少磁性元件的体积。
　　此外，CS5N60A4H-G也适用于电机驱动电路、电磁炉、变频器和工业自动化设备等应用，能够承受较高的开关应力和工作温度，确保系统的稳定运行。
　　由于其良好的热性能和封装设计，该器件也可用于消费类电子产品，如电视电源、音响功放和智能家居设备等，满足不同市场对电源效率和可靠性的需求。

FQA5N60C、IRF840、STP5NK60Z、2SK2141