VNH3SP30E 时间：2025/7/23 3:11:41 阅读：7

VNH3SP30E是一款由STMicroelectronics推出的高集成度H桥电机驱动器芯片，专为直流电机和步进电机的驱动应用设计。该芯片内部集成了两个独立的H桥电路，能够提供高达30A的峰值电流驱动能力，适用于高功率电机控制应用。VNH3SP30E具备多种保护功能，包括过流保护、欠压保护、过温保护和负载短路保护，确保在恶劣工作环境下仍能稳定运行。

参数

工作电压范围：5.5V至24V
　　最大输出电流：30A（峰值）
　　内置MOSFET导通电阻：高边+低边=30mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至150°C
　　封装形式：PowerSSO-36
　　控制方式：PWM输入控制
　　保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定、负载短路保护
　　逻辑输入电压兼容性：3.3V和5V

特性

VNH3SP30E采用先进的功率MOSFET技术，实现了高效率的电机驱动能力。其低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统整体效率。芯片内部集成了两个独立的H桥，每个H桥均可独立控制，支持多种电机控制模式，如单极性PWM控制和双极性PWM控制。
　　VNH3SP30E具备完善的保护机制，确保芯片在各种异常情况下都能安全运行。过流保护功能可防止因电机堵转或外部短路导致的电流过大问题，欠压锁定功能在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，避免控制信号紊乱。此外，过温保护功能可在芯片温度过高时自动限制输出功率，防止热损坏。
　　该芯片还支持宽电压输入范围，适用于多种电源配置，包括电池供电系统和工业电源系统。其PowerSSO-36封装形式具有良好的散热性能，适合高功率密度应用。