时间：2025/8/6 17:57:58
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MTB5D8N03RH8是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的功率MOSFET晶体管，广泛用于高电流开关应用。该器件采用了先进的沟槽MOSFET技术，提供了低导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电系统等多种应用。MTB5D8N03RH8采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到现代电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大连续漏极电流（ID）：5.8A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：H8SS（热增强型8引脚封装）
MTB5D8N03RH8具有多项优良特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低功耗运行，提高能效。其次，该MOSFET采用热增强型封装，能够有效散热，适用于高功率密度的设计。
此外，该器件具备良好的栅极电荷特性，降低了开关损耗，使得在高频应用中也能保持高效运行。其较高的最大漏极电流能力使其适用于大电流负载切换和电源管理应用。
MTB5D8N03RH8还具有优异的耐用性和稳定性，能够在恶劣环境下可靠工作。其宽工作温度范围也使其适用于工业级和汽车电子系统。
MTB5D8N03RH8适用于多种高电流开关应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、电机驱动器、LED照明控制电路以及汽车电子系统等。由于其高效率和紧凑封装，它在便携式电子产品和嵌入式系统中也有广泛应用。
Si4460BDY-T1-GE3, FDS4468B, IRF7413TR1PBF
