时间：2025/12/23 17:12:20
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VND830PEP是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特性，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。VND830PEP适用于需要高效能和小型化设计的电子电路中。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：14A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：39nC
输入电容：1100pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
VND830PEP具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中能够显著降低功耗并提高效率。
该器件的快速开关性能减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。
其较高的漏源电压额定值（60V）提供了良好的耐压能力，同时具备优秀的热稳定性，可以在较宽的温度范围内可靠运行。
VND830PEP采用标准的TO-252封装，易于安装和散热设计。
VND830PEP适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化控制设备中的功率管理模块。
VND830P,
IRF830,
FDP057N06L
