VND830EH 时间：2025/5/13 19:01:56 阅读：7

VND830EH是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-252封装形式，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计中。其主要特点包括高击穿电压、低导通电阻以及出色的开关性能，适用于电源管理、电机驱动、负载开关等多种应用场合。
　　这款MOSFET适合在中小功率场景下使用，能够提供较高的电流承载能力和稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：3.9A
　　导通电阻：120mΩ
　　栅极电荷：7nC
　　开关时间：典型值ton=18ns，toff=13ns
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

VND830EH具有以下关键特性：
　　1. 高耐压能力：最大漏源电压为40V，确保在各种电路环境下具备良好的可靠性。
　　2. 低导通电阻：仅为120mΩ，可减少功率损耗并提高效率。
　　3. 快速开关速度：由于较低的栅极电荷和短开关时间，适用于高频应用。
　　4. 小型封装：TO-252封装使其适合空间受限的设计方案。
　　5. 宽温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作环境，适应性强。
　　6. 稳定性强：经过严格筛选和测试，保证长期使用的稳定性。

应用

VND830EH适用于多种电子设备和系统，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器或功率级开关。
　　2. 电池管理系统（BMS），用于电池保护和充放电控制。
　　3. 电机驱动电路，特别是在小型直流电机控制方面。
　　4. 负载开关和保护电路，用以实现快速开启/关闭功能。
　　5. LED驱动器和背光控制，提供高效的电流调节。
　　6. 各类消费电子产品中的电源管理和信号切换。