K3468 时间：2025/8/9 16:08:00 阅读：29

K3468是一种场效应晶体管（FET），常用于高频率和高功率的开关应用。该晶体管具备较低的导通电阻和快速的开关特性，使其在电源管理和转换电路中非常受欢迎。K3468属于N沟道增强型MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

K3468具有多个关键特性，使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先，其800V的最大漏源电压使其能够承受高压环境下的工作条件。其次，低导通电阻（1.2Ω）确保了在导通状态下的低功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高工作频率。
　　K3468的热性能也非常优越，能够有效地散热，从而确保在高负载条件下的稳定性。其TO-220封装形式便于安装和散热设计，适用于多种电路布局。此外，K3468的工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在恶劣环境中稳定工作。
　　这款MOSFET还具备高耐久性和可靠性，适用于长期运行的工业设备和电源系统。其增强型设计确保在关闭状态下漏极和源极之间几乎没有漏电流，从而保证了电路的安全性和效率。

应用

K3468广泛应用于各种高功率和高频率的电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及高频率放大器。此外，它还适用于需要高压和高效率的工业自动化设备和电力电子系统。由于其卓越的性能和可靠性，K3468也常用于照明系统、电池充电器和不间断电源（UPS）等关键应用中。