VND7E025AJTR 是一款 N 沣道制晶体管(N-MOSFET),属于 Vishay 公司的 Siliconix 系列产品。该器件采用小型化封装,适用于高频和高效能开关应用。其设计针对低导通电阻和快速开关速度进行了优化,非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理电路。
该型号采用了先进的半导体制造工艺,具有出色的热特性和电气性能,能够有效降低系统功耗并提升整体效率。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:25A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷:19nC
开关时间:典型值 12ns(tr),22ns(tf)
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263-3(DPAK)
VND7E025AJTR 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少导通损耗。
2. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗,提高工作效率。
3. 高额定电流能力,满足大功率应用需求。
4. 小型化的 TO-263-3 封装,节省 PCB 布局空间。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。
这款 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. 降压和升压 DC-DC 转换器。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子中的辅助功率电路。
VNQ025P, VND7E025ATPR, IRF7832