时间：2025/6/11 19:30:41
阅读：7
VND7050AJTR是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用PowerFLAT 5x6封装形式，适用于需要高效率、低功耗和小型化设计的应用场景。其出色的导通电阻和快速开关性能使其成为电源管理、负载切换以及电机驱动等应用的理想选择。
VND7050AJTR的主要特点是具有极低的导通电阻Rds(on)，从而减少了传导损耗并提高了整体系统效率。此外，该器件还具备较高的雪崩击穿电压能力，增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻Rds(on)：1.4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷Qg：38nC（典型值）
总功耗：1.8W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：PowerFLAT 5x6
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩击穿电压能力，增强器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 小型化的PowerFLAT 5x6封装，节省电路板空间。
5. 广泛的工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
VND7050AJTR凭借这些特性，非常适合用于对效率和尺寸要求较高的应用场合。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池管理系统中的负载切换控制。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元。
VND7050AJTR由于其优异的性能和紧凑的封装，成为众多高效能电子系统中的关键元件。
VNQ0190, VND7040ALTR
