时间：2025/7/1 12:48:36
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SUP90142E-GE3是一款高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，能够有效节省PCB空间并提高系统可靠性。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，具有出色的电气特性，能够满足多种高效率、高密度电源设计需求。同时，其内置的ESD保护电路进一步增强了器件的鲁棒性，使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：10nC
开关时间：t_on=15ns, t_off=25ns
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
SUP90142E-GE3的核心优势在于其超低的导通电阻和快速的开关性能，这使得它在高频开关应用中表现出色。此外，其优化的热阻设计能够确保在高电流负载下的稳定性。
主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
3. 内置ESD保护功能，提高了抗静电能力，从而增强了产品的可靠性。
4. 小型化的TO-252封装，非常适合紧凑型设计需求。
5. 广泛的工作温度范围，使其可以适应各种恶劣环境条件。
这款功率MOSFET适用于广泛的电子应用领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电路径管理。
SUP90142E-GE3凭借其高效的特性和紧凑的设计，在便携式设备、消费类电子产品以及工业控制领域均有广泛应用。
SUP90142E-G, IRF9014, FDP9014
