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SUP90142E-GE3 发布时间 时间:2025/7/1 12:48:36 查看 阅读:13

SUP90142E-GE3是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用,能够有效节省PCB空间并提高系统可靠性。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,具有出色的电气特性,能够满足多种高效率、高密度电源设计需求。同时,其内置的ESD保护电路进一步增强了器件的鲁棒性,使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻:7.5mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关时间:t_on=15ns, t_off=25ns
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

SUP90142E-GE3的核心优势在于其超低的导通电阻和快速的开关性能,这使得它在高频开关应用中表现出色。此外,其优化的热阻设计能够确保在高电流负载下的稳定性。
  主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,适用于开关电源和DC-DC转换器。
  3. 内置ESD保护功能,提高了抗静电能力,从而增强了产品的可靠性。
  4. 小型化的TO-252封装,非常适合紧凑型设计需求。
  5. 广泛的工作温度范围,使其可以适应各种恶劣环境条件。

应用

这款功率MOSFET适用于广泛的电子应用领域,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电路径管理。
  SUP90142E-GE3凭借其高效的特性和紧凑的设计,在便携式设备、消费类电子产品以及工业控制领域均有广泛应用。

替代型号

SUP90142E-G, IRF9014, FDP9014

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SUP90142E-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥26.00000管件
  • 系列ThunderFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15.2 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)87 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)31200 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3