SUP90142E-GE3是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用,能够有效节省PCB空间并提高系统可靠性。
该型号属于增强型N沟道MOSFET,具有出色的电气特性,能够满足多种高效率、高密度电源设计需求。同时,其内置的ESD保护电路进一步增强了器件的鲁棒性,使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:7.5mΩ
栅极电荷:10nC
开关时间:t_on=15ns, t_off=25ns
工作结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
SUP90142E-GE3的核心优势在于其超低的导通电阻和快速的开关性能,这使得它在高频开关应用中表现出色。此外,其优化的热阻设计能够确保在高电流负载下的稳定性。
主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,适用于开关电源和DC-DC转换器。
3. 内置ESD保护功能,提高了抗静电能力,从而增强了产品的可靠性。
4. 小型化的TO-252封装,非常适合紧凑型设计需求。
5. 广泛的工作温度范围,使其可以适应各种恶劣环境条件。
这款功率MOSFET适用于广泛的电子应用领域,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电路径管理。
SUP90142E-GE3凭借其高效的特性和紧凑的设计,在便携式设备、消费类电子产品以及工业控制领域均有广泛应用。
SUP90142E-G, IRF9014, FDP9014