VND5T035AK 是一款 N 沣道场效应晶体管(N-Channel Trench MOSFET),采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域,适合需要高效能和小体积的应用场景。其封装形式为 TO-252(DPAK),能够提供较高的电流处理能力和良好的散热性能。
VND5T035AK 的设计使其在多种功率转换应用中表现出色,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及 LED 驱动等。通过优化的芯片结构,该器件能够在高频工作条件下维持较低的功耗。
最大漏源电压:60V
持续漏极电流:7.8A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:15nC
总电容:1450pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
VND5T035AK 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,适用于高频功率转换应用。
3. 小型封装设计,节省 PCB 空间。
4. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 提供优异的热性能,确保长时间稳定运行。
这些特性使 VND5T035AK 成为高性能功率管理应用的理想选择。
VND5T035AK 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 各类负载开关,用于保护电路免受过流或短路的影响。
4. 电机驱动电路,特别是在小型直流电机控制中。
5. LED 驱动器,用于调节和控制 LED 的亮度。
6. 汽车电子设备中的功率控制模块。
其高效的性能和可靠性使得它在这些应用中表现突出。
VND5T035A,
IRLZ44N,
FDS6670A,
AON7542G