时间：2025/5/21 13:14:42
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VND5050AJTR-E 是一款 N 沣道晶体管 (N-Channel MOSFET)，采用小尺寸 TO-263-3（DPAK）封装。该器件主要用于开关和功率控制应用，具有低导通电阻和高电流处理能力的特性，广泛应用于汽车电子、电源管理、电机驱动等领域。
这款 MOSFET 具有出色的电气性能和可靠性，特别适合需要高效率和低功耗的应用场景。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：41A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：1290pF
工作温度范围：-40℃至175℃
VND5050AJTR-E 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下为 1.5mΩ，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流，允许高达 41A 的连续漏极电流，使其能够胜任大功率应用场景。
3. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在严苛环境下的可靠性和稳定性。
4. 宽工作温度范围（-40°C 至 +175°C），适用于极端条件下的操作。
5. 小型 DPAK 封装设计，有助于节省 PCB 空间，并提供良好的散热性能。
VND5050AJTR-E 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
2. DC/DC 转换器及降压电路中的同步整流。
3. 开关电源（SMPS）和电池管理系统中的功率开关。
4. 电动工具、家用电器等高电流设备中的功率控制。
5. 工业自动化和通信设备中的保护电路和功率管理模块。
VND5040AJTR-E, VND5060AJTR-E
