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VND3NV04TR-E 发布时间 时间:2025/7/22 6:01:24 查看 阅读:4

VND3NV04TR-E 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高边功率开关芯片,属于VIPower M0-5系列。该芯片采用先进的VIPower技术,集成了多种保护功能,适用于工业自动化、汽车电子以及通用负载控制等应用。VND3NV04TR-E是一款单通道高边开关,具有极低的导通电阻,能够高效地驱动各种负载。

参数

类型:高边功率开关
  通道数:1
  最大工作电压:45V
  最大连续负载电流:6A(取决于散热条件)
  导通电阻:典型值为 0.14Ω(两个MOSFET并联)
  封装形式:PowerSSO-36
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  保护功能:过流保护、过热保护、短路保护、欠压锁定
  诊断反馈:负载电流反馈(模拟电压输出)

特性

VND3NV04TR-E具备多项高性能特性,使其在工业和汽车应用中表现出色。
  VND3NV04TR-E采用VIPower M0-5技术制造,该技术结合了先进的功率MOSFET技术和集成电路制造工艺,能够在单芯片上实现高效的功率控制与多种保护机制。该芯片的高边开关设计使其非常适合用于控制正极电源的负载,例如继电器、电磁阀、灯泡以及小型电机等。
  该器件的导通电阻非常低,典型值为0.14Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。同时,VND3NV04TR-E支持高达6A的连续负载电流,使其适用于中高功率应用场景。芯片内置的过流保护(OCP)、过热保护(OTP)、短路保护(SCP)以及欠压锁定(UVLO)功能,确保在异常工作条件下自动关闭,从而提高系统的可靠性和安全性。
  此外,VND3NV04TR-E还具备负载电流检测功能,通过模拟电压输出反映实际负载电流大小,便于系统进行实时监控和故障诊断。这种诊断功能在工业自动化系统中尤为重要,可帮助工程师快速识别故障并进行维护。
  芯片的封装形式为PowerSSO-36,是一种高功率密度、低热阻的封装,有利于散热和提高器件的可靠性,尤其适合高温环境下的应用。

应用

VND3NV04TR-E广泛应用于需要高可靠性和高效率的功率控制场景。其主要应用领域包括工业自动化设备、PLC(可编程逻辑控制器)、电机控制模块、照明系统、汽车电子控制单元(ECU)等。在汽车领域,该芯片可用于车身控制模块、车灯控制、加热系统控制等;在工业自动化中,可用于驱动继电器、电磁阀、直流电机等负载。此外,由于其强大的诊断功能,VND3NV04TR-E也常用于需要故障监测和系统保护的高端设备中。

替代型号

VND5NV04TR-E, VND7NV04TR-E

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VND3NV04TR-E参数

  • 其它有关文件VND3NV04 View All Specifications
  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列OMNIFET II™
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻120 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道-
  • 电流 - 峰值输出5A
  • 电源电压-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)