时间：2025/6/23 22:27:22
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FQPF3N90是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于各种电源管理电路、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等场景。
这款MOSFET的制造工艺优化了其开关特性和热性能，使其在高电流和高压条件下表现优异。同时，它具备快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于提高效率并减少开关损耗。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：6.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：17nC（典型值）
输入电容：800pF（典型值）
开关时间：ton=45ns，toff=85ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQPF3N90的主要特性包括：
1. 高击穿电压（900V），适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（典型值6.5Ω），可以有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力，适合高频操作，减少开关损耗。
4. 小巧且标准的TO-220封装，便于安装与散热设计。
5. 稳定的工作温度范围（-55℃到+150℃），适应多种工作条件。
6. 较低的栅极电荷，简化驱动电路设计并提高效率。
这些特性使得FQPF3N90成为许多电力电子应用中的理想选择。
FQPF3N90广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管。
2. DC-DC转换器中用于降压或升压拓扑。
3. 逆变器电路中实现AC-DC或DC-AC转换。
4. 电机驱动电路中控制负载电流。
5. 各种保护电路中用作电子开关。
由于其高压和高效能特点，这款MOSFET特别适合需要高可靠性和高效率的应用场合。
IRF840, STP12NK60Z
