时间：2025/7/23 4:01:09
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VNB35NV0413TR 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款智能功率模块（IPM），专为三相电机驱动应用设计。该模块集成了高压栅极驱动器和低导通电阻的MOSFET，适用于工业自动化、家用电器和电动工具等场合。
类型：智能功率模块（IPM）
相数：三相
MOSFET类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：600 V
最大漏极电流（ID）：35 A
栅极驱动电压：15 V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：PowerSO-36
VNB35NV0413TR 具有多种先进特性，包括集成的高压栅极驱动器，能够提供高达600V的击穿电压保护，确保在高压环境下稳定运行。其内部MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高整体效率。
该模块还内置了多种保护机制，例如过热保护、过流保护和欠压锁定功能，这些特性有助于提高系统的可靠性和安全性。VNB35NV0413TR 采用PowerSO-36封装，具有良好的散热性能，适用于紧凑型设计。
此外，该模块支持高达35A的连续漏极电流，能够满足高性能电机驱动的需求。其15V的栅极驱动电压设计确保MOSFET在最佳状态下工作，同时降低了开关损耗，提升了系统效率。
VNB35NV0413TR 主要用于三相电机控制，包括工业自动化设备、家用电器（如空调、洗衣机）、电动工具以及小型变频器等应用。其高效能和高可靠性的设计使其成为现代电机控制系统的理想选择。
STGIPS20C60S6D, VNB10NV0413TR
