时间：2025/8/13 4:51:44
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MMBT3946DW1T1是一款双NPN晶体管阵列，采用SOT-363封装，适用于需要两个独立NPN晶体管的应用场景。该器件设计用于低功率、高频率的开关和放大应用，具有优良的高频响应和稳定性。
晶体管类型：NPN双晶体管
集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
集电极电流（Ic）：最大100mA
功率耗散（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
增益带宽积（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据不同的工作条件）
MMBT3946DW1T1晶体管具有优异的高频性能，适用于需要高增益和快速开关的应用。其SOT-363封装使其非常适合用于空间受限的设计中。
这款晶体管的增益带宽积为250MHz，能够在高频条件下提供良好的性能，适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。此外，其最大集电极-发射极电压为30V，允许在较宽的电压范围内工作。
晶体管的电流增益（hFE）根据不同的工作条件可以在110至800之间变化，提供灵活的增益选择。这种特性使得它能够满足不同电路设计的需求，例如信号放大和开关控制。
由于其低功率耗散特性（300mW），MMBT3946DW1T1可以在低功耗系统中可靠运行，而不会产生过多的热量。这使得它在便携式设备和电池供电的应用中非常受欢迎。
MMBT3946DW1T1晶体管广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。其典型应用包括信号放大器、开关电路、接口电路以及逻辑门设计。此外，它还适用于需要高性能和紧凑封装的射频（RF）和中频（IF）电路。
BC847BS、2N3904、MMBT3904LT1、BC817、2N2222
