VN990 时间：2025/4/29 12:19:50 阅读：3

VN990是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其设计旨在提供高效率和低功耗的解决方案，适用于消费电子、工业控制和其他需要高性能功率管理的应用场景。
　　这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而优化了系统的整体性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：14nC（典型值）
　　总功耗：37W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

VN990具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 小尺寸封装选项，便于PCB布局和节省空间。
　　5. 符合RoHS标准，环保且适合现代绿色电子产品的要求。

应用

VN990主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流和主开关管。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率输出级。
　　4. 负载开关和保护电路中的功率开关。
　　5. 各种电池管理系统中的充电/放电控制开关。
　　由于其高性能和灵活性，VN990成为许多功率管理和电机驱动应用的理想选择。