时间：2025/4/30 10:02:14
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VN808SR是STMicroelectronics（意法半导体）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性，非常适合用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域中的各种功率转换和电机驱动应用。
该器件采用TO-220封装形式，具有较大的散热面积，便于在高功率应用场景中使用。此外，VN808SR还具备良好的电气特性和稳定性，能够在宽温度范围内保持高性能表现。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻：0.25Ω
栅极电荷：23nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
1. VN808SR拥有较低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用场景下能够减少功耗并提高效率。
2. 具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器。
3. 高度稳定的电气性能确保其在恶劣环境下仍能可靠运行。
4. TO-220封装提供了优秀的散热性能，适合大功率应用。
5. 工作温度范围宽广，能够适应从低温到高温的各种工况需求。
6. 具有较高的雪崩击穿能力和抗静电能力，增强了器件的耐用性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关
2. DC-DC转换器和升压/降压电路
3. 各种电机驱动应用，如直流无刷电机驱动
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 家用电器中的功率管理单元
7. LED驱动器中的功率级元件
