VN808SR是STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性,非常适合用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域中的各种功率转换和电机驱动应用。
该器件采用TO-220封装形式,具有较大的散热面积,便于在高功率应用场景中使用。此外,VN808SR还具备良好的电气特性和稳定性,能够在宽温度范围内保持高性能表现。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:8A
导通电阻:0.25Ω
栅极电荷:23nC
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:TO-220
1. VN808SR拥有较低的导通电阻(Rds(on)),这使其在高电流应用场景下能够减少功耗并提高效率。
2. 具备快速开关能力,有助于降低开关损耗,适用于高频开关电源和逆变器。
3. 高度稳定的电气性能确保其在恶劣环境下仍能可靠运行。
4. TO-220封装提供了优秀的散热性能,适合大功率应用。
5. 工作温度范围宽广,能够适应从低温到高温的各种工况需求。
6. 具有较高的雪崩击穿能力和抗静电能力,增强了器件的耐用性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关
2. DC-DC转换器和升压/降压电路
3. 各种电机驱动应用,如直流无刷电机驱动
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 家用电器中的功率管理单元
7. LED驱动器中的功率级元件