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VN808SR 发布时间 时间:2025/4/30 10:02:14 查看 阅读:5

VN808SR是STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性,非常适合用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域中的各种功率转换和电机驱动应用。
  该器件采用TO-220封装形式,具有较大的散热面积,便于在高功率应用场景中使用。此外,VN808SR还具备良好的电气特性和稳定性,能够在宽温度范围内保持高性能表现。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:8A
  导通电阻:0.25Ω
  栅极电荷:23nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-220

特性

1. VN808SR拥有较低的导通电阻(Rds(on)),这使其在高电流应用场景下能够减少功耗并提高效率。
  2. 具备快速开关能力,有助于降低开关损耗,适用于高频开关电源和逆变器。
  3. 高度稳定的电气性能确保其在恶劣环境下仍能可靠运行。
  4. TO-220封装提供了优秀的散热性能,适合大功率应用。
  5. 工作温度范围宽广,能够适应从低温到高温的各种工况需求。
  6. 具有较高的雪崩击穿能力和抗静电能力,增强了器件的耐用性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关
  2. DC-DC转换器和升压/降压电路
  3. 各种电机驱动应用,如直流无刷电机驱动
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块
  6. 家用电器中的功率管理单元
  7. LED驱动器中的功率级元件

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VN808SR参数

  • 产品培训模块Intelligent Power Switches
  • 标准包装31
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列VIPower™
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数8
  • 导通状态电阻150 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道700mA
  • 电流 - 峰值输出1.7A
  • 电源电压10.5 V ~ 45 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerSO-36 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装PowerSO-36
  • 包装管件
  • 配用497-4929-ND - BOARD HIGH SIDE DRIVER VN808