时间：2025/5/19 15:57:24
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VN750B5是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率电子领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种需要高效功率转换的场景。
该MOSFET采用TO-252封装形式，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。其典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.8A
脉冲漏极电流：19A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：14nC
开关时间：ton=15ns，toff=25ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
VN750B5具有较低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高效率。
它还具备快速的开关特性，适合高频操作环境。
由于采用了先进的制造工艺，VN750B5能够在较高的结温下稳定工作，增强了系统的可靠性和耐用性。
此外，其紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
开关电源中的同步整流
DC-DC转换器中的功率开关
电机驱动电路中的功率级元件
负载开关以实现高效的电源管理
电池保护电路中的关键组件
VN850B5
IRLZ44N
FDP5574
