时间：2025/7/10 12:19:31
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IPB120N04S4-01是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252 (D2PAK)封装形式。该器件适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。其低导通电阻和快速开关性能使其成为高效率功率转换的理想选择。
这款MOSFET由英飞凌（Infineon）生产，具有出色的热稳定性和电气特性，能够在高温环境下保持良好的性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：4.4mΩ
栅极电荷：97nC
开关时间：ton=86ns, toff=39ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPB120N04S4-01具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 具有较高的雪崩耐量，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得该器件非常适合用于高效能DC-DC转换器、同步整流电路以及电动工具和家用电器中的功率管理模块。
该MOSFET广泛应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 工业电机控制与驱动
3. 电池管理系统（BMS）
4. 电动汽车和混合动力汽车中的逆变器
5. 各种消费类电子产品的负载切换
由于其强大的电流承载能力和高效的功率转换性能，IPB120N04S4-01在需要高功率密度和高效率的应用中表现尤为突出。
IPW120N04S4L-01, IPP120N04S4-02
