时间：2025/5/15 15:21:38
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VN7050ASTR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型 SOT-23 封装。该器件主要用于低压应用中的开关和负载驱动场景。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少发热，适用于消费类电子产品、通信设备及工业控制等领域的电源管理。
该器件具有较低的栅极电荷和快速开关性能，使其成为高效同步整流和负载切换的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：45pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
VN7050ASTR 提供了多种优势，以满足现代电子设计需求：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，减少了开关损耗，适合高频操作环境。
3. 小型化封装（SOT-23），节省 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种严苛的应用场景。
VN7050ASTR 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 便携式设备中的电池管理与保护电路。
3. LED 驱动器中的负载开关。
4. 数据通信接口保护与信号切换。
5. 各类消费类电子产品中的 DC-DC 转换器。
6. 工业自动化控制中的小功率电机驱动或继电器替代方案。
VN7050DTR, IRF7343, FDN340P
