型号：ALP029N
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：110A
　　脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：2.9mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：4.0mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：65nC
　　输入电容（Ciss）：4000pF
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PDFN5x6

ALP029N采用了AOS成熟的TrenchFET制造工艺，这种技术通过优化元胞结构和掺杂分布，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容，从而提升了整体能效和开关速度。其超低的RDS(on)值在同等级电压器件中处于领先水平，尤其是在VGS=10V条件下仅2.9mΩ，意味着在大电流应用中可大幅降低导通损耗，减少发热，提高系统效率。此外，在VGS=4.5V时仍能保持4.0mΩ的低阻表现，使其兼容于低电压逻辑驱动电路，如由PWM控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=65nC），这直接影响了其开关损耗，使得在高频开关电源设计中能够实现更高的工作频率而不会显著增加功耗。同时，输入电容（Ciss）为4000pF，配合快速的开启与关断延迟时间（分别为15ns和35ns），确保了优异的动态响应能力，适合用于同步整流、半桥/全桥拓扑等高速切换场合。体二极管的反向恢复时间仅为25ns，表现出良好的反向恢复特性，有助于减少换流过程中的能量损失和电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险。
　　在热性能方面，ALP029N采用PDFN5x6封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔有效将热量传导至地层或散热层，极大增强了热稳定性与长期可靠性。该封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化SMT生产线。器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代绿色电子产品的要求。工作结温可达+150°C，支持严苛环境下的持续运行。综合来看，ALP029N凭借其低损耗、高电流承载能力和紧凑封装，成为高性能电源设计的理想选择之一。

ALP029N主要应用于需要高效能、高电流密度和小型化的电力电子系统中。典型应用场景包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）与POL（点负载）电源，其中多个ALP029N可并联使用以支持上百安培的输出电流需求。在通信基础设施设备如基站和路由器中，它常用于DC-DC转换器的同步整流部分，以提升电源转换效率并减少散热负担。
　　此外，该器件也广泛用于工业电机驱动器中的H桥或半桥配置，作为主开关元件控制电机启停与方向切换。在电池管理系统（BMS）和高功率负载开关电路中，ALP029N凭借其低导通电阻和高电流能力，可用于电池充放电路径的通断控制，有效降低压降和温升。
　　消费类电子产品如高端笔记本电脑、游戏主机和大功率LED驱动电源中，ALP029N同样发挥重要作用，特别是在主板供电和GPU核心供电模块中承担关键角色。由于其小型化封装，特别适合空间受限但功率要求较高的便携式设备设计。此外，还可用于太阳能逆变器、电动工具和无人机等新兴领域中的功率开关环节，提供可靠且高效的电力控制解决方案。

AON6290,AOZ6301ANQ,SGM2593N