VN7004CLHTR 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的设计注重降低功耗和提高系统效率,同时其坚固的结构和良好的热性能使其能够在严苛的环境下稳定运行。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:11A
导通电阻:5.5mΩ
栅极电荷:26nC
开关速度:快
封装形式:SO-8
工作温度范围:-55℃ to 150℃
VN7004CLHTR 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提升整体效率。
2. 高电流承载能力,能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关性能,适合高频开关应用。
4. 良好的热特性和稳定性,保证在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 小型化的 SO-8 封装,节省 PCB 空间,便于集成到紧凑的设计中。
VN7004CLHTR 可用于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池保护电路
5. 负载开关
6. 逆变器和 UPS 系统
7. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块
VN7003CLHTR, VN7005CLHTR