时间：2025/5/8 1:00:13
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VN5E006A 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型化的SOT23-3封装形式。该器件主要适用于低电压、小电流的开关应用场合，具有较低的导通电阻和快速的开关速度。其设计旨在提高能效并减少功率损耗，广泛应用于消费类电子产品及便携式设备中。
这款MOSFET的额定耐压为60V，能够满足大多数低压电路的需求，同时具备较小的尺寸和出色的散热性能，非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.3A
栅极阈值电压：1.2V~2.8V
导通电阻（典型值）：0.45Ω
工作结温范围：-55℃~150℃
1. 超低导通电阻，在轻负载条件下可显著降低功耗。
2. 快速开关能力，有助于提升系统效率。
3. 高静电放电（ESD）保护能力，增强了产品的可靠性。
4. 小型化SOT23-3封装，适合高密度PCB布局。
5. 支持宽温度范围操作，适应多种工作环境。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC/DC转换器中的开关元件。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. LED驱动电路中的电流控制。
5. 消费类电子产品的电源管理模块。
6. 电机驱动和音频放大器中的保护电路。
VN5E007ADT, IRLML6402, FDMC8819
