AZ4A12-01F是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能等特性,能够显著提升系统的效率和稳定性。
其封装形式为TO-252(DPAK),适用于表面贴装技术,便于自动化生产和优化PCB布局。该型号在设计时注重了电气特性和机械可靠性的平衡,使其成为工业和消费类电子应用的理想选择。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大漏极电流Id:38A
导通电阻Rds(on):4mΩ
总功耗Ptot:21W
工作结温范围Tj:-55°C to +175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
3. 强大的雪崩能力,提升了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
5. 具备良好的热稳定性和耐热冲击能力。
6. 小型化封装设计,节省PCB空间并简化电路布局。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)。
5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, AO3400A, FDP5500