时间：2025/6/22 12:21:28
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7283-8456-30是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够显著提升电路效率并降低热损耗。
型号：7283-8456-30
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
7283-8456-30具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），可有效减少功率损耗。
3. 快速的开关速度，确保高效运行。
4. 热稳定性强，能够在极端温度范围内正常工作。
5. 采用坚固耐用的TO-247封装，便于散热和安装。
6. 栅极驱动要求较低，兼容多种驱动电路设计。
7283-8456-30适用于以下典型应用：
1. 开关电源中的功率级控制。
2. 电机驱动器中的逆变器和斩波器。
3. DC-DC转换器中的同步整流。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中的功率转换电路。
IRFP460, STP15NM60, FDP15N60
