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VN50300T 发布时间 时间:2025/5/28 15:24:27 查看 阅读:19

VN50300T 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于高效能的电源转换、电机驱动以及负载切换等场合。
  该器件采用了TO-263封装形式,使其具备良好的散热性能和高电流处理能力。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.7mΩ
  总功耗:115W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

VN50300T 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,能够降低开关损耗,并适用于高频操作环境。
  3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置反向恢复二极管,非常适合同步整流和续流二极管应用。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. TO-263封装提供了优秀的热性能和电气性能。

应用

VN50300T 广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关或同步整流器。
  2. 直流/直流转换器及升压/降压转换器。
  3. 电机控制与驱动电路。
  4. 电池保护和负载切换。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

VN50200PT, IRF540N, FDP55N06L

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VN50300T参数

  • 制造商Vishay
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压500 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流0.022 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)300000 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-236-3
  • 下降时间7 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散350 mW
  • 上升时间7 ns
  • 工厂包装数量1000
  • 典型关闭延迟时间8 ns