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VN450 发布时间 时间:2025/5/23 7:11:31 查看 阅读:17

VN450是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要用于需要高效率、低功耗和快速开关特性的应用场合。其设计特点使其非常适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
  该MOSFET的导通电阻较低,能够显著降低传导损耗,并且具有良好的热稳定性和耐用性,确保在各种恶劣环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:35mΩ
  总功耗:115W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

VN450的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通时的能量损耗。
  2. 快速的开关速度,使得它适用于高频开关应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在过载或短路情况下的保护性能。
  4. 热增强型TO-220封装,提供出色的散热性能。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 高可靠性与稳定性,适用于工业及汽车领域。

应用

VN450广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机控制和驱动
  4. 负载切换
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块
  7. 汽车电子系统中的电源管理部分

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VN450参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类功率驱动器IC
  • 产品Half-Bridge Drivers
  • 电源电流60 mA
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体PowerSO-20
  • 封装Tube
  • 工作电源电压45 V
  • 工厂包装数量31