时间：2025/7/25 23:26:05
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VN2460N8-G 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等多种应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在25°C时）
脉冲漏极电流（IDM）：540A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerPAK? 8x8
VN2460N8-G 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，使得在相同芯片面积下能够实现更高的电流密度，从而提高了功率处理能力。此外，VN2460N8-G 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了响应速度，适用于高频开关应用。其高栅极电荷（Qg）特性也使其在高频率操作时保持良好的稳定性。
VN2460N8-G 还具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。PowerPAK? 8x8 封装形式提供了优异的热管理和小型化设计，适用于现代电子产品对空间和散热的高要求。此外，该器件还具有良好的抗雪崩能力和过载保护能力，能够在极端条件下保持稳定运行。
VN2460N8-G 主要应用于高功率和高效率的电子系统中，如电源管理模块、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。其高电流处理能力和低导通电阻使其在电源转换和分配系统中表现出色，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。此外，该器件还可用于汽车电子系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及各种高性能计算设备的电源管理部分。
SiS6686, NexFET CSD1750Q5B
