时间：2025/5/27 10:57:03
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VN2406LZL1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，基于先进的制造工艺设计，适用于高效率开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和其他功率管理电路中。
其封装形式为 SO8（表面贴装），具备良好的热性能和电气性能。此外，VN2406LZL1G 还具有出色的耐用性和可靠性，能够适应各种严苛的工作环境。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：22nC
开关时间（开启/关闭）：12ns/25ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的耐受性。
4. 小型化 SO8 封装，便于 PCB 布局和散热设计。
5. 宽工作温度范围，适应多种工业及汽车级应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率输出级。
5. 各类消费电子设备中的保护电路。
6. 汽车电子中的逆变器和控制模块。
VN2405LZL1G, IRF7404, FDP5500
