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AON7404G 发布时间 时间:2025/5/23 12:23:21 查看 阅读:18

AON7404G是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄DFN5x6-8L封装,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合用于便携式设备、计算机外设以及消费类电子产品中的负载开关、同步整流和DC-DC转换等应用。
  这款MOSFET以其卓越的性能参数著称,能够满足现代电子设计对高效能和小型化的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:8.5nC
  总电容(输入电容):1530pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AON7404G是一款高性能的MOSFET,其主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),在4.5V时仅为2.5mΩ,可显著降低功率损耗。
  2. 小尺寸DFN5x6-8L封装,适合空间受限的应用场景。
  3. 高额定电流能力,支持高达19A的连续漏极电流。
  4. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(8.5nC),能够有效减少开关损耗。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),确保在各种环境条件下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保设计。

应用

AON7404G适用于以下领域:
  1. 各类电源管理电路,如负载开关和DC-DC转换器。
  2. 消费类电子产品中的电池管理。
  3. 计算机及外设产品中的电源模块。
  4. 工业控制中的电机驱动和保护电路。
  5. LED照明驱动电路。
  AON7404G凭借其低导通电阻和高效率,在这些应用场景中提供优异的性能表现。

替代型号

AON7404

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AON7404G参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥1.51296卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta),20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.3 毫欧 @ 20A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3300 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),28W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN