AON7404G是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄DFN5x6-8L封装,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合用于便携式设备、计算机外设以及消费类电子产品中的负载开关、同步整流和DC-DC转换等应用。
这款MOSFET以其卓越的性能参数著称,能够满足现代电子设计对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:19A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:8.5nC
总电容(输入电容):1530pF
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AON7404G是一款高性能的MOSFET,其主要特点包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),在4.5V时仅为2.5mΩ,可显著降低功率损耗。
2. 小尺寸DFN5x6-8L封装,适合空间受限的应用场景。
3. 高额定电流能力,支持高达19A的连续漏极电流。
4. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(8.5nC),能够有效减少开关损耗。
5. 宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),确保在各种环境条件下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,绿色环保设计。
AON7404G适用于以下领域:
1. 各类电源管理电路,如负载开关和DC-DC转换器。
2. 消费类电子产品中的电池管理。
3. 计算机及外设产品中的电源模块。
4. 工业控制中的电机驱动和保护电路。
5. LED照明驱动电路。
AON7404G凭借其低导通电阻和高效率,在这些应用场景中提供优异的性能表现。
AON7404