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VN06SP 发布时间 时间:2025/4/30 18:50:13 查看 阅读:9

VN06SP是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的半导体工艺技术,能够提供低导通电阻和高效率的性能表现。VN06SP常用于需要快速开关响应和较低功耗的设计中,例如电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
  这款MOSFET具有良好的电气特性和可靠性,能够在较宽的工作电压范围内稳定运行,并且具备较小的封装尺寸,便于在空间受限的应用中使用。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6.8A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ
  栅极电荷(Qg):9nC
  工作温度范围(Top r.):-55℃至175℃
  封装类型:SOT-23

特性

VN06SP的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频操作环境。
  3. 高电流承载能力,支持高达6.8A的连续漏极电流。
  4. 较小的SOT-23封装,节省PCB板空间。
  5. 广泛的工作温度范围,确保在极端条件下仍能可靠运行。
  6. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

VN06SP适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
  4. 手机和平板电脑等便携式电子设备的电源管理。
  5. LED驱动电路中的开关元件。
  6. 各类消费电子产品及工业控制系统的功率级应用。

替代型号

VN06SP的常见替代型号包括IRLML6402、Si2302DS、AO3400

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VN06SP参数

  • 其它有关文件VN06SP View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻180 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道1.9A
  • 电流 - 峰值输出9A
  • 电源电压5.5 V ~ 26 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装PowerSO-10
  • 包装管件