工作频率范围：50 MHz 至 4 GHz
　　输出功率：最大可达50 W（取决于工作频率和偏置条件）
　　漏极电压（Vds）：最大65 V
　　栅极电压（Vgs）：范围-5 V 至 +3 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：3引脚TO-247
　　增益：典型值20 dB以上（具体取决于工作频率）
　　效率：典型值60%以上（PAE，功率附加效率）

RF3183TR13-3K具有多项先进的电气和机械特性，使其在高功率射频应用中表现出色。首先，它采用LDMOS技术，具有高增益、高效率和良好的线性性能，能够支持多种调制格式的信号放大。其次，该晶体管具有较宽的工作频率范围，适用于多频段通信系统，减少设计中对多个器件的需求。此外，RF3183TR13-3K的热稳定性优异，能够在高温环境下稳定工作，提升了系统的可靠性和寿命。其封装设计优化了散热性能，确保在高功率输出时仍能保持较低的结温。该器件还具备良好的抗失真能力，适用于需要高信号完整性的应用，如基站放大器和数字广播系统。最后，该晶体管具有较强的抗负载失配能力，能够在复杂的工作条件下保持稳定运行。

RF3183TR13-3K广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波通信系统和广播发射机。在蜂窝网络中，该器件可作为主功率放大器，支持4G LTE、5G NR等新一代移动通信标准。此外，在数字音频和视频广播系统中，RF3183TR13-3K能够提供高效率和高保真的射频输出，确保信号传输的稳定性与质量。工业和医疗设备中，如射频加热、等离子体发生器和MRI（磁共振成像）系统，该晶体管也表现出色。由于其宽频带特性和高可靠性，该器件还可用于测试设备和专用通信系统。

RF3184TR13-3K, RF3185TR13-3K