VN05H 时间：2025/7/22 21:42:17 阅读：5

VN05H 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用 TO-220 封装，具备低导通电阻和高电流承受能力，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关等场景。VN05H 的设计优化了导通损耗和开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：50A
　　最大漏源电压 (VDS)：60V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：40mΩ（典型值）
　　功率耗散 (PD)：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220
　　工艺技术：增强型

特性

VN05H 具备多项优良特性，适用于高要求的功率控制场景。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件的高电流承载能力和耐压性能使其在高功率应用中表现稳定。
　　该 MOSFET 采用了先进的工艺技术，确保了在高温环境下仍能维持良好的性能。其 TO-220 封装形式便于散热设计，适用于多种 PCB 安装方式。
　　VN05H 还具备快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，非常适合高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动电路。
　　该器件还内置了热保护和过载保护功能，提高了使用安全性，延长了使用寿命。

应用

VN05H 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括电源供应器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电动车充电系统、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。
　　由于其出色的导通特性和高耐压能力，VN05H 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
　　此外，该器件还适用于需要高频率开关的场合，如脉宽调制（PWM）控制器和功率因数校正（PFC）电路。