VN05H 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用 TO-220 封装,具备低导通电阻和高电流承受能力,适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关等场景。VN05H 的设计优化了导通损耗和开关损耗,使其在高频开关应用中表现出色。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID):50A
最大漏源电压 (VDS):60V
最大栅源电压 (VGS):±20V
导通电阻 RDS(on):40mΩ(典型值)
功率耗散 (PD):160W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220
工艺技术:增强型
VN05H 具备多项优良特性,适用于高要求的功率控制场景。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该器件的高电流承载能力和耐压性能使其在高功率应用中表现稳定。
该 MOSFET 采用了先进的工艺技术,确保了在高温环境下仍能维持良好的性能。其 TO-220 封装形式便于散热设计,适用于多种 PCB 安装方式。
VN05H 还具备快速开关能力,减少了开关过程中的能量损耗,非常适合高频开关应用,如同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动电路。
该器件还内置了热保护和过载保护功能,提高了使用安全性,延长了使用寿命。
VN05H 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括电源供应器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电动车充电系统、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。
由于其出色的导通特性和高耐压能力,VN05H 也常用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
此外,该器件还适用于需要高频率开关的场合,如脉宽调制(PWM)控制器和功率因数校正(PFC)电路。
IRFZ44N, STP55NF06, FDP6676, SiHH05N60EF