时间：2025/9/4 22:13:45
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ST40X-18S-CVR(80) 是一种由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件的封装形式为DPAK（TO-252），适合表面贴装，便于在高密度电路板上使用。ST40X-18S-CVR(80) 主要用于DC-DC转换器、同步整流、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
栅极电压（Vgs）：10V
最大功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
ST40X-18S-CVR(80) 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值为18mΩ，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达80A，适用于高功率密度应用。该MOSFET的栅极电压为10V，确保了良好的导通性能，同时具备较强的抗过载能力。其封装形式为DPAK（TO-252），具有良好的热性能，有助于将热量有效地传导到PCB上，从而提升整体系统的稳定性。此外，该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高电源转换效率。
ST40X-18S-CVR(80) 在设计上采用了优化的芯片布局，降低了寄生电感，从而减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。该MOSFET还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和使用寿命。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业控制和电源管理系统。
ST40X-18S-CVR(80) 主要应用于各种功率电子系统中，特别是在需要高效率和高电流能力的场合。例如，在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流或主开关，提高转换效率并减少发热。在电机控制应用中，它可用于H桥驱动，实现电机的正反转和调速。此外，该MOSFET也常用于负载开关、电池管理系统（BMS）以及各种工业和汽车电子控制系统中。其高可靠性和优异的热性能使其成为高要求环境下的理想选择。
STP80NF40, IRF3710, FDP4760, NTD4858N
