类型：齐纳二极管
　　极性：单齐纳
　　标称齐纳电压：6.8 V
　　容差：±5%
　　功率：500 mW
　　最大齐纳电流：72 mA
　　动态阻抗（典型值）：10 Ω
　　工作温度范围：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C ~ +150 °C
　　封装/外壳：SOD-123FL

VMZ6.8N齐纳二极管具备出色的电压稳定性和低动态阻抗特性，使其在各种稳压和参考电压应用中表现出色。其核心优势之一是标称齐纳电压为6.8V，处于硅材料P-N结的最优击穿区间，此时齐纳效应与雪崩效应共同作用，使得温度系数接近于零，显著提升了电压稳定性，尤其在环境温度变化较大的应用场景下表现优异。这意味着该器件在不同温度条件下仍能维持较为恒定的输出电压，减少了因温漂引起的误差，非常适合用于精密模拟电路、基准源构建或反馈回路中的电压采样点。
　　该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，尺寸仅为2.0 mm × 1.25 mm × 1.1 mm，极大地节省了PCB空间，适应现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。尽管体积小巧，但其结构设计优化了热传导路径，提升了散热效率，能够在500mW的最大功率下可靠运行。此外，VMZ6.8N的制造工艺采用了先进的玻璃钝化技术，增强了芯片表面的绝缘性能和抗湿气能力，提高了长期使用的可靠性与寿命。
　　VMZ6.8N还具备良好的高频响应能力和快速的瞬态响应速度，能够有效抑制电压尖峰和噪声干扰，适用于高速开关电源或数字逻辑电路中的去耦和钳位保护。其±5%的电压容差保证了批次间的一致性，便于批量生产和自动化测试。更重要的是，该器件通过了AEC-Q101车规认证，表明其在高温、高湿、振动等恶劣环境下仍能保持稳定性能，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或电池管理系统等对可靠性要求极高的场合。
　　从环保角度看，VMZ6.8N符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色制造和可持续发展。综合来看，VMZ6.8N是一款高性能、高可靠性的小功率齐纳二极管，兼具优良的电气特性、紧凑的封装形式和广泛的应用兼容性，是现代电子设计中理想的电压参考与保护元件。

VMZ6.8N齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中，主要功能包括电压参考、稳压、过压保护和电平钳位。在电源电路中，常被用作低压直流稳压器的基准电压源，特别是在LDO（低压差稳压器）或开关电源的反馈网络中，提供精确的分压参考点。在信号调理电路中，可用于限制输入信号幅度，防止后级IC因电压过高而损坏，常见于ADC前端保护或运算放大器输入端钳位设计。
　　在工业控制系统中，VMZ6.8N可用于传感器信号调理模块，为桥式传感器提供稳定的偏置电压或作为比较器的阈值参考。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，因其小型化封装优势，常用于内部电源轨的电压监测与保护电路。
　　此外，该器件也适用于汽车电子领域，例如在车载充电器、LED照明驱动或ECU（电子控制单元）中实现电压检测和浪涌抑制。由于其具备AEC-Q101认证，能在-40°C至+125°C甚至更高结温下稳定工作，适合部署在发动机舱附近或高温密闭环境中。
　　在通信设备中，VMZ6.8N可用于接口电平转换电路，如将3.3V逻辑信号转换为5V系统兼容电平，或在RS-232、I2C总线中提供静电放电（ESD）防护。其快速响应特性也能有效吸收瞬态能量，提升系统抗干扰能力。总之，VMZ6.8N凭借其高精度、小体积和高可靠性，成为众多电子设计中不可或缺的基础元器件。

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　　 "MMSZ4678T1G",
　　 "BZT52C68",
　　 "SZMMSZ5237B",
　　 "MMBZ5237BL"
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