类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

VMO440-02FL1B 具有出色的导通性能和热稳定性，这得益于其采用的先进沟槽 MOSFET 技术。其低导通电阻（Rds(on)）可以有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件在 10V 栅极电压下可实现完全导通，适用于开关频率较高的应用环境。
　　此外，VMO440-02FL1B 采用了 PowerPAK SO-8 封装，这种封装不仅尺寸小巧，还具有良好的散热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。该封装也便于自动化装配，提高了生产效率。
　　在可靠性方面，VMO440-02FL1B 的设计符合 AEC-Q101 汽车电子标准，适用于汽车电子系统等对可靠性要求较高的应用场景。其栅极氧化层具有较高的击穿电压（可达 20V），能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作。
　　该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高整体能效。这一特性使其非常适合用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器以及电机控制电路。

VMO440-02FL1B 广泛应用于各种电源管理与功率控制领域。其典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及工业自动化控制系统。
　　在消费类电子产品中，它常用于便携式设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源转换电路。
　　在汽车电子领域，VMO440-02FL1B 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、车载信息娱乐系统（IVI）以及电池管理系统（BMS）。
　　此外，该器件还适用于工业自动化设备中的电机驱动和电源转换模块，如伺服驱动器、变频器和工业控制板。

Si2302DS, FDS6675, IRF7404, AO4406